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Quantum/140DAI75300/开入32点AC隔离
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Quantum/140DAI75300/开入32点AC隔离
电子-空穴复合发光效应 1952年,发现了硅、锗半导体材料注入发光的现象。注入到半导体中的非平衡电子-空穴对以某种方式释放多余的能量而回到初始平衡状态。辐射光子是一种释放能量的方式,但是由于锗、硅都属间接带材料(导带底与价带顶不在动量空间的同一位置),为了满足跃迁过程的动量守恒原则(图4),这就要求大量声子同时参与跃迁过程,属多体过程。因此带间复合发光的效率很低(小于0.01%)。许多化合物材料如GaAs、InGaAsP为直接带材料(导带底与价带顶在动量空间同一位置),带间辐射跃迁过程几乎无需声子参与(图5)。因此发光效率很高,大注入下内量子效率几乎达一百 ,高 率的电子-空穴对复合发光效应是一切半导体发光器件的物理基础。
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Siemens 6EP1436-3BA10
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PE7006 PE-2,5-RDR14-QFRKG/US/ /E
Siemens SMP-E45-A333
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