据悉，该款商用化硅光芯片在一个不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光发送、调制、接收等近60个有源和无源光元件。当该芯片完成封装后，其硅光期间产品的尺寸仅为312平方毫米，面积只有传统器件的三分之一，能够非常全面的满足CFP／CFP2想干光模块的需求。目前，该系列产品支持100～200Gb／s高速光信号传输，具备超小型、高性能、低成本、通用化等优点，能够广泛应用于传输网和数据中心光传输设备。
据了解，目前硅材料来源丰富、成本较低、机械性能、耐高温能力都非常高，这便于芯片加工和封装。而借助集成电路已经大规模商用的CMOS工艺平台去实现硅光芯片的生产制造，能够有效的解决我国高端光电子芯片制造能力薄弱、工艺能力不足等问题。
对于本次我国首款100G商用硅光芯片的投产使用，国家信息光电子创新中心专家委员会主任余少华院士表示：“此次，工信部主导成立国家信息光电子创新中心，及时推动了四家单位通力合作实现100G硅光芯片的产业化商用，既展现出了硅光技术优势，也表明我国已经具备硅光产品商用化设计的条件和基础。”
未来，我国在自主硅光芯片技术方面将继续向超高速、超大容量、超长距离、高集成度、高性能、低功耗、高可靠性等方向发展。
