传统三维闪存架构中，外围电路与存储单元共享芯片面积。生产时，外围电路和存储单元需同时进行加工，二者容易互相掣肘，对工艺要求极高。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，让芯片加工从平面走向立体。即在一片晶圆上加工外围电路，在另一片晶圆上加工存储单元，两片晶圆各自完工后再进行接合。由于芯片空间得以释放，三维闪存的存储密度有望实现大幅提升。
长江存储首席执行官杨士宁介绍，目前世界上最快的三维闪存读写速度是1.4Gbps，采用Xtacking技术后这一数值有望提升到3.0Gbps，对闪存行业来讲将是颠覆性的。他透露，Xtacking技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短3个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短产品上市时间。
紫光集团联席总裁刁石京透露，Xtacking技术在全球范围内是首创的，对“中国芯”加速自主创新发展意义重大。
据介绍，长江存储已成功将Xtacking技术应用于第二代三维闪存产品的研发中，预计2019年实现量产。
