得益于940nm技术的发展，如今在光通讯市场已“遍地开花”的VCSEL技术正加速向消费电子领域延伸。尤其是智能手机领域，随着3D Sensing应用在高端机市场逐步开放普及，全球产业链各方对VSCEL技术的布局和投资热情也被彻底点燃。
常州纵慧芯光半导体科技有限公司联合创始人陈晓迟表示：“每年全世界消费10多亿部智能手机，2017年全球手机的出货量更是超过14亿部。若以每部手机至少嵌入2－3颗瓦级VCSEL激光器件来计算，每年将有二三十亿颗的市场需求，市场规模更是能从十亿级人民币扩展到百亿级人民币。随着后续越来越多大大小小的安卓智能手机厂商相继采用VCSEL来实现3D人脸识别，我们认为未来几年市场对6英寸VCSEL外延片的需求也将呈现高速增长趋势。”
虽说应用前景巨大，但真正能做到量产高质量6英寸VSCEL外延片的厂商全球范围内也是屈指可数。西安唐晶量子科技有限公司总经理龚平告诉《华强电子》记者：“目前全球该领域真正能够大规模量产6英寸VSCEL外延片的只有美国IntelliEPI、美国EpiWorks、日本住友化学以及英国IQE这几家厂商，而且他们占据着整个产业界绝大多数的VSCEL外延设备及核心技术资源。”典型的比如苹果VSCEL外延片独家供应商英国IQE，2017年中旬仅IQE一家就占据了全球VSCEL外延片市场份额的60％，近期其法人代表更是向相关媒体透露公司在VCSEL晶圆市场已占有约80％的份额，且产线仍在继续扩张。
不过，今年以来，国内以全新光电、晶元光电以及华芯半导体为代表的越来越多本土企业都相继踏上了6英寸VSCEL外延片的量产征程，除此之外还有诸如长光华芯、睿熙科技以及唐晶量子等众多创业公司也开始投入该领域，国内940nm VSCEL外延产线的布局正全面加速。
尽管本土厂商推进940nm VSCEL外延片“国产化”的气势如虹，但由于外延工艺技术实力不足，目前国内绝大多数厂商的940nm VSCEL产品的外延工艺基本上都是外包给国外大厂来做。因此，要真正实现消费级VSCEL外延片的“国产自主”，大规模打入全球智能手机供应链，国内企业还需要突破外延工艺上的重重难关，其中首道难题就是外延片的均匀性生长技术。
与广泛应用于光通讯领域的850nm VSCEL不同，940nm VSCEL在半导体元素组分上与前者有较大差异，而这种差异体现在外延片的量产工艺上，也就是难度系数的成倍提升。深圳顺盈科光电股份有限公司产品经理曲力行表示：“VCSEL的结构以銦镓砷InGaAs阱（well）和铝镓砷AlGaAs垒（barrier）的多量子阱（MQW）做发光层是最合适的，就如同LED用銦In来调变波长一样，3D感测技术使用的940纳米波长VCSEL的銦In组分大约是20％。当銦In组分是零的时候，外延工艺比较简单（比如850nm的VSCEL），而銦In的组分越高，外延工艺难度会成倍增加。虽然很多厂商可能在850nm的技术上颇有建树，但想要将850nm VSCEL的技术能力成功转移到940nm领域，实际上并不是那么容易。”
其中，最大的难点就在于如何能够保证VSCEL外延片每层结构能够保持均匀生长。陈晓迟表示：“从结构上来讲，一颗VSCEL器件的外延生长一般要达到300层，在工艺层面上包括中间质量在内的每一层都需要做得很均匀，对比EEL仅30－40层的难度，VCSEL外延生长的难度与其根本不在同一个数量级。”而为了保证每个外延层的质量，外延生长工艺过程需要在精准的细化到每层外延层厚度的基础上，于数十倍常规LED工作电流密度条件下充分调制掺杂分布和组分的均匀性，令其生长出高质量低缺陷密度的晶体，才能获得高性能、长寿命的VCSEL外延片。
调制掺杂的分布和组分的均匀性，在决定器件的最终性能方面至关重要，曲力行也告诉记者：“VCSEL外延片的结构中，不同的掺杂分布会对器件性能产生不同程度的影响，正如銦In用来调变波长，GaAs用来做底面的反光衬底一样。作为化合物半导体的一种，VSCEL晶片中不同的掺杂会直接决定晶片晶格结构的稳定性和规律性，进而决定最终器件的各种性能参数，比如光电转换效率以及内部寄生电阻等。而不同的组分均匀性则会决定VSCEL器件最终的应用领域及功能，就如我们所生产的850nm VSCEL中銦In的组分为零因而被用于光通讯领域，而应用于消费电子领域的940nm产品中的銦In组分则需要精准控制在20％左右才行。”
但要对VSCEL外延片几百层中每一层结构的掺杂分布和组分均匀性做到精准控制是极其困难的，绝大多数国内厂商基本不具备这方面的技术能力，良率是目前最大的问题，即使现在通过传统850nm设备的改造也比较难达到预期的量产效果。“VSCEL最薄的外延层仅为几纳米，而几百层结构中每层都去充分考量其表面的均匀性、掺杂分布的规律性及组分的正确性会十分考验厂商工艺的设计和把控能力，且对外延设备结构件以及设备腔体内的很多传感器组件会有非常高的精度要求。由于850nm的设备与940nm的相比精度根本不在一个数量级，精度哪怕是低了几纳米，都可能会使得当前正在生长的外延层出现不均匀结构或翘曲或者掺杂层紊乱等情况，从而影响后续更多层的外延生长均匀性，并最终破坏晶片的良率。”曲力行进一步补充到。
不过，在这方面顺盈科光电目前也有了解决方案，曲力行告诉记者：“实际上，早在苹果iPhoneX搭载3D传感技术之前，我们就已经开始尝试940nm VSCEL外延片的试制。由于外延设备非常稀缺且交货期长，所以我们也是通过对原有850nm设备进行改造的方式用来试制和量产940nm外延片，由于外延精度存在很大差异，我们也更换了设备腔体中的很多传感器组件和结构件，这些模块一般都需要做不同程度上的定制，在成本上也会有不小的开支。除此之外，还对一些工艺段进行了重新设计和调整，为了配合硬件的更新，设备控制系统上我们也对很多参数和数据组进行了重新评估和系统性的调校，并通过不断评估小批量产品试制的良率来调校设备的精度，整个过程也花了大约一年半的时间，目前产品的良率相比之前已经有了大约20％的提升。如今，我们的6英寸VSCEL外延片产线已经实现了规模化量产，并已经成功打入了两家主流安卓手机厂商的供应链，明年年初就会有相关设备上市。”
但对于绝大多数本土厂商，尤其是当下正蜂拥而至的创业公司来说，外延片的均匀性生长仍是一道难以克服的关卡。接下来，这些本土厂商能否真正赶上这波3D传感市场的红利期，实现消费级VSCEL外延片的大规模“国产化”还有待观察。毕竟，半导体外延工艺并不是短期内能够一蹴而就的，特别是当前英美对VSCEL技术实施出口管制的形势下，突破工艺端的高门槛实现外延片国产化更是难上加难。