不过中国反垄断机构早已着手调查三星、美光、海力士是否存在操纵价格，如果裁定三大巨头存在价格垄断行为，那么可能罚金将在8亿美元-80亿美元之间，相信这也能起到一定的威慑作用。而现在又传出消息，中国的DDR4内存、3D 闪存芯片等即将量产，如果属实，那意味着国产内存、闪存从明年开始将会有实质性的成果。
据中国台湾电子时报网站引述业内人士称，2019年，中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产，它们分别是长江存储、福建晋华集成电路公司（以下简称晋华公司），以及安徽合肥Innotro存储公司。
紫光旗下的 YMTC 长江存储此前对外披露已经获得了第一个闪存芯片订单，用于生产8GB容量的SD存储卡，订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。此外，长江存储正继续研发64层3D NAND闪存，计划在2018年年底前推出样品。
消息人士称，到2020年，长江存储的闪存芯片产能将提高到月处理10万片晶圆。未来随着三条生产线全部启用，该公司的闪存月产能将提高到35万片到40万片晶圆。
跟长江存储不同的是，晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造。据说前者已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产，而后者预计明年量产19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片。
晋华公司此前表示，希望在今年底之前，将晋华和台湾联华电子共同开发的第一代DRAM内存生产工艺投入使用。
不过，晋华的合作方联电目前跟美光公司正在打专利战，虽然福州法院已经发布针对美光的禁售令，要求将涉嫌晋华公司专利的26种产品在中国市场停止销售，晋华和联电也算取得初步胜利，但是最终是否会影响到晋华的投产计划还是未知数。
最近有报道称，合肥Innotron公司已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产，不过该公司官方尚未对外发布消息。此前Innotron公司对外展示了使用19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片工程样片，该产品预计于 2018 年底上市，计划于 2019 年上半年正式量产。
如果以上消息属实，那的确是件好事！让大家看见了国产内存在研发制造方面的突破。这也势必能打破巨头间的垄断，全球内存闪存芯片市场的价格有望出现下降。不过我们还是需要认清现实，就比如目前长江存储的32层3D闪存的产能产能问题，晋华/联电与美光公司的专利战影响，以及合肥Innotron公司也没有证实是否开始正式生产等一系列问题。但从另一个角度看，留给国产存储厂商的进步空间还很大。
无论如何，梦想还是要有的，万一实现了呢？就比如有业内人士预计，从2020～2021年起，中国存储产业将开始取得全球产业话语权......
