霍尔效应说的是当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差的现象，两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为：
U=KIB/d
式中,K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场的磁感应强度,d是薄片的厚度。
霍尔开关属于有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时,又可满足工业场合实际应用中易操作和可靠性的要求。
在外磁场的作用下，当磁感应强度超过导通阈值BOP 时，霍尔电路输出管导通，输出低电平。之后B 再增加，电路仍保持导通态。若外加磁场的B 值降低到BRP 时，输出管截止，输出高电平。我们称BOP 为工作点，BRP为释放点，BOP-BRP=BH 称为回差。回差的存在使开关电路的抗干扰能力增强。